Cálculo de la Temperatura Electrónica de una Descarga Magnetron Sputtering R.F. utilizando   Espectroscopía de Emisión Optica

C. Rincón1, G. Zambrano2, H. Galindo3 y  P. Prieto2

1 Departamento de Física. Universidad Autónoma de Occidente. Cali
2 Departamento de Física. Universidad del Valle. Cali
Departamento de Física. Universidad de los Andes. Mérida Venezuela.





Se ha realizado el seguimiento in situ del plasma de una Descarga Magnetron Sputtering R.F., mediante la técnica de Espectroscopía de Emisión Óptica (OES). La descarga (R.F.  a 13.56 MHz), es utilizada para el crecimiento de películas delgadas tipo diamante, sobre substratos de aceros y de Silicio a partir de un blanco de Carbono (99.999 %), en atmósfera de Ar/CH4. El seguimiento se hizo para diferentes concentraciones de la mezcla. Los espectros de emisión muestran, además de los picos relacionados con las líneas de la serie de Balmer (Ha, Hb, Hg), el pico de emisión a 431.5 nm, de la banda correspondiente a la transición A2D®X2P, que está relacionado con los radicales CH neutros. Los cuales son especies precursoras de enlaces tipo diamante. La relación entre las intensidades de las líneas Hay Hb del Hidrógeno es una medida del cambio relativo de la temperatura electrónica del plasma que, para las condiciones de nuestro experimento, es del orden de 1 eV y no depende significativamente de la concentración de CH4 en la mezcla. Sin embargo, la intensidad del pico de emisión a 431.5 nm del CH, decrece con la disminución del porcentaje de Metano.