Cálculo
de la Temperatura Electrónica de una Descarga Magnetron Sputtering
R.F. utilizando Espectroscopía de Emisión Optica
C.
Rincón1, G. Zambrano2, H. Galindo3
y P. Prieto2.
1
Departamento de Física. Universidad Autónoma de Occidente.
Cali
2
Departamento de Física. Universidad del Valle. Cali
Departamento
de Física. Universidad de los Andes. Mérida Venezuela.
Se
ha realizado el seguimiento in situ del plasma de una Descarga Magnetron
Sputtering R.F., mediante la técnica de Espectroscopía de
Emisión Óptica (OES). La descarga (R.F. a 13.56 MHz),
es utilizada para el crecimiento de películas delgadas tipo diamante,
sobre substratos de aceros y de Silicio a partir de un blanco de Carbono
(99.999 %), en atmósfera de Ar/CH4. El seguimiento se
hizo para diferentes concentraciones de la mezcla. Los espectros de emisión
muestran, además de los picos relacionados con las líneas
de la serie de Balmer (Ha,
Hb,
Hg),
el pico de emisión a 431.5 nm, de la banda correspondiente a la
transición A2D®X2P,
que está relacionado con los radicales CH neutros. Los cuales son
especies precursoras de enlaces tipo diamante. La relación entre
las intensidades de las líneas Hay
Hb
del Hidrógeno es una medida del cambio relativo de la temperatura
electrónica del plasma que, para las condiciones de nuestro experimento,
es del orden de 1 eV y no depende significativamente de la concentración
de CH4 en la mezcla. Sin embargo, la intensidad del pico de
emisión a 431.5 nm del CH, decrece con la disminución del
porcentaje de Metano.
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